反向传输电容(Crss):160pF@15V,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@4.5V,5.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):14.4nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):820pF@15V,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):0.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,5.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.4nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.55/个 |
| 10+ | ¥3.48/个 |
| 30+ | ¥3.43/个 |
| 100+ | ¥3.38/个 |
| 102+ | ¥3.38/个 |
| 104+ | ¥3.38/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.1096
2500 PCS/盘
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