反向传输电容(Crss):50pF@10V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):160pF@10V,连续漏极电流(Id):0.7A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 50pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 500mW | |
输入电容(Ciss) | 160pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 0.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.99/个 |
10+ | ¥2.38/个 |
30+ | ¥2.12/个 |
100+ | ¥1.79/个 |
500+ | ¥1.65/个 |
1000+ | ¥1.56/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.4352
3000 PCS/盘
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