反向传输电容(Crss):20.4pF,导通电阻(RDS(on)):23mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@6V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21.4nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):3.7W,输入电容(Ciss):1544pF,输出电容(Coss):250pF,连续漏极电流(Id):46.3A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20.4pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@6V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 21.4nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 3.7W | |
输入电容(Ciss) | 1544pF | |
输出电容(Coss) | 250pF | |
连续漏极电流(Id) | 46.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.61/个 |
10+ | ¥2.55/个 |
30+ | ¥2.5/个 |
100+ | ¥2.46/个 |
102+ | ¥2.46/个 |
104+ | ¥2.46/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.451
2500 PCS/盘
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