反向传输电容(Crss):38.5pF@30V,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):41.3nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):136W,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):2090pF@30V,连续漏极电流(Id):100A,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 38.5pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 41.3nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 136W | |
耗散功率(Pd) | 136W | |
输入电容(Ciss) | 2090pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
连续漏极电流(Id) | 100A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.51/个 |
10+ | ¥8.82/个 |
30+ | ¥7.89/个 |
100+ | ¥6.84/个 |
500+ | ¥6.38/个 |
1000+ | ¥6.16/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.6672
2500 PCS/盘
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