反向传输电容(Crss):53pF@30V,导通电阻(RDS(on)):190mΩ@4.5V,3.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):9nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):16W,输入电容(Ciss):637pF@30V,连续漏极电流(Id):4.3A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 53pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@4.5V,3.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 9nC | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 16W | |
输入电容(Ciss) | 637pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |