导通电阻(RDS(on)):125mΩ@10V,2.3A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17.7nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2.11W,输入电容(Ciss):637pF@30V,连续漏极电流(Id):4.4A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,2.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17.7nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 2.11W | |
输入电容(Ciss) | 637pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.18/个 |
10+ | ¥2.53/个 |
30+ | ¥2.21/个 |
100+ | ¥1.89/个 |
500+ | ¥1.69/个 |
1000+ | ¥1.59/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.59
2500 PCS/盘