反向传输电容(Crss):226pF@25V,导通电阻(RDS(on)):10.2mΩ@10V,25A,工作温度:-55℃~+185℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):35nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):167W,输入电容(Ciss):2453pF@25V,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 226pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 10.2mΩ@10V,25A | |
工作温度 | -55℃~+185℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
耗散功率(Pd) | 167W | |
输入电容(Ciss) | 2453pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 75A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥9.33/个 |
10+ | ¥7.8/个 |
30+ | ¥6.96/个 |
100+ | ¥6.01/个 |
500+ | ¥5.59/个 |
1000+ | ¥5.4/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.968
2500 PCS/盘
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