导通电阻(RDS(on)):14Ω@0.35V,50mA,工作温度:-40℃~+85℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):350V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):300pF,连续漏极电流(Id):130mA,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@0.35V,50mA | |
工作温度 | -40℃~+85℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 350V | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 300pF | |
连续漏极电流(Id) | 130mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |