导通电阻(RDS(on)):16mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):66nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):1810pF@25V,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,30A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 110W | |
输入电容(Ciss) | 1810pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.72/个 |
10+ | ¥4.23/个 |
30+ | ¥3.99/个 |
100+ | ¥3.75/个 |
500+ | ¥3.6/个 |
1000+ | ¥3.53/个 |
2500+ | ¥3.49/个 |
5000+ | ¥3.46/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.2108
2500 PCS/盘
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