反向传输电容(Crss):4.6pF@50V,导通电阻(RDS(on)):0.22Ω@10V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):44nC@480V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):1330pF@50V,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4.6pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.22Ω@10V,8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 44nC@480V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 30W | |
输入电容(Ciss) | 1330pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 16A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥7.5/个 |
10+ | ¥6.31/个 |
50+ | ¥5.18/个 |
100+ | ¥4.44/个 |
500+ | ¥4.11/个 |
1000+ | ¥3.97/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.7656
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉20.72元