反向传输电容(Crss):11pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V,2.75A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):158W,输入电容(Ciss):1310pF@25V,连续漏极电流(Id):5.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,2.75A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
耗散功率(Pd) | 158W | |
输入电容(Ciss) | 1310pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥15.94/个 |
10+ | ¥13.75/个 |
50+ | ¥12.38/个 |
100+ | ¥10.97/个 |
500+ | ¥10.34/个 |
1000+ | ¥10.06/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.3896
50 PCS/盘
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