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FQB5N90TM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQB5N90TM
- 商品编号
- C463024
- 商品封装
- D2PAK
- 商品毛重
- 0.00166千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):17pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.3Ω@10V,2.7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):40nC@720V,漏源电压(Vdss):900V,耗散功率(Pd):158W,耗散功率(Pd):158W,输入电容(Ciss):1550pF@25V,连续漏极电流(Id):5.4A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V,2.7A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@720V | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 输入电容(Ciss) | 1550pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥12.86/个 |
| 10+ | ¥10.79/个 |
| 30+ | ¥9.49/个 |
| 100+ | ¥8.16/个 |
| 500+ | ¥7.56/个 |
| 800+ | ¥7.3/个 |
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