反向传输电容(Crss):310pF,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,75A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):175nC@20V,漏源电压(Vdss):55V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):285W,输入电容(Ciss):3200pF,输出电容(Coss):1170pF,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,75A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 175nC@20V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 285W | |
| 输入电容(Ciss) | 3200pF | |
| 输出电容(Coss) | 1170pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥24.75/个 |
| 10+ | ¥24.19/个 |
| 30+ | ¥23.82/个 |
| 100+ | ¥23.44/个 |
| 102+ | ¥23.44/个 |
| 104+ | ¥23.44/个 |
整盘
单价
整盘单价¥21.5648
450 PCS/盘
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