导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,75A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):285W,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,75A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
耗散功率(Pd) | 285W | |
连续漏极电流(Id) | 75A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥24.75/个 |
10+ | ¥24.19/个 |
30+ | ¥23.82/个 |
100+ | ¥23.44/个 |
102+ | ¥23.44/个 |
104+ | ¥23.44/个 |
整盘
单价
整盘单价¥21.5648
450 PCS/盘
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