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FDD7N60NZTM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDD7N60NZTM
- 商品编号
- C463713
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000371千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1.05Ω@10V,2.75A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):90W,输入电容(Ciss):730pF@25V,连续漏极电流(Id):5.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V,2.75A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.48/个 |
| 10+ | ¥8.96/个 |
| 30+ | ¥8.01/个 |
| 100+ | ¥7.03/个 |
| 500+ | ¥6.59/个 |
| 1000+ | ¥6.4/个 |
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