反向传输电容(Crss):20pF@380V,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@10V,26A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):166nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):481W,输入电容(Ciss):4925pF@380V,连续漏极电流(Id):52A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@380V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,26A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 166nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 481W | |
| 输入电容(Ciss) | 4925pF@380V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥52.0122/个 |
| 10+ | ¥45.788/个 |
| 30+ | ¥40.372/个 |
| 90+ | ¥37.191/个 |
| 92+ | ¥37.191/个 |
| 94+ | ¥37.191/个 |
整盘
单价
整盘单价¥40.372
30 PCS/盘