导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,25.5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):70nC@10V,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):3410pF@25V,连续漏极电流(Id):51A,阈值电压(Vgs(th)):5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,25.5A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 3410pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 51A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V |