反向传输电容(Crss):45pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@4.5V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):220pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):1A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.534/个 |
| 50+ | ¥1.242/个 |
| 150+ | ¥1.117/个 |
| 500+ | ¥0.96/个 |
| 3000+ | ¥0.891/个 |
| 6000+ | ¥0.849/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.81972
3000 PCS/盘
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