反向传输电容(Crss):70pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.4Ω@5.0V,5.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):40nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):74W,输入电容(Ciss):1100pF,输出电容(Coss):220pF,连续漏极电流(Id):5.7A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.4Ω@5.0V,5.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 输入电容(Ciss) | 1100pF | |
| 输出电容(Coss) | 220pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.73/个 |
| 10+ | ¥7.23/个 |
| 50+ | ¥5.9/个 |
| 100+ | ¥4.97/个 |
| 500+ | ¥4.55/个 |
| 1000+ | ¥4.36/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.428
50 PCS/盘
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