反向传输电容(Crss):136pF@480V,导通电阻(RDS(on)):400mΩ@10V,3.8A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):32nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):112W,输入电容(Ciss):700pF@100V,连续漏极电流(Id):14.7A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 136pF@480V | |
导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V,3.8A | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 112W | |
输入电容(Ciss) | 700pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 14.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.27/个 |
10+ | ¥3.51/个 |
30+ | ¥3.14/个 |
100+ | ¥2.76/个 |
500+ | ¥2.52/个 |
1000+ | ¥2.4/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.208
2500 PCS/盘
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