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FDD3706
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDD3706
- 商品编号
- C467442
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 商品毛重
- 0.00037千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):201pF@10V,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,16.2A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):44W,输入电容(Ciss):1882pF@10V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 201pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,16.2A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 输入电容(Ciss) | 1882pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.89/个 |
| 10+ | ¥6.74/个 |
| 30+ | ¥6.64/个 |
| 100+ | ¥6.54/个 |
| 102+ | ¥6.54/个 |
| 104+ | ¥6.54/个 |
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