导通电阻(RDS(on)):90mΩ@10V,3A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):1.38W,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,3A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 1.38W | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.823/个 |
50+ | ¥0.66/个 |
150+ | ¥0.578/个 |
500+ | ¥0.517/个 |
3000+ | ¥0.451/个 |
6000+ | ¥0.426/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.41492
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