反向传输电容(Crss):2.3pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.6Ω@10V,2A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.2nC@480V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):109W,输入电容(Ciss):550pF@25V,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.3pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@10V,2A | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@480V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 109W | |
输入电容(Ciss) | 550pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.94/个 |
50+ | ¥1.536/个 |
150+ | ¥1.364/个 |
500+ | ¥1.148/个 |
2500+ | ¥1.052/个 |
5000+ | ¥0.994/个 |
10000+ | ¥0.982/个 |
20000+ | ¥0.974/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.41312
50 PCS/盘
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