反向传输电容(Crss):2.7pF@480V,导通电阻(RDS(on)):1.9Ω@10V,2.5A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):39W,输入电容(Ciss):668pF@25V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.7pF@480V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V,2.5A | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 39W | |
输入电容(Ciss) | 668pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.996/个 |
10+ | ¥0.974/个 |
30+ | ¥0.959/个 |
100+ | ¥0.945/个 |
500+ | ¥0.945/个 |
1000+ | ¥0.945/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.88228
50 PCS/盘
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