反向传输电容(Crss):4.9pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.6Ω@10V,2.5A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):39W,输入电容(Ciss):1120pF@25V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4.9pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.6Ω@10V,2.5A | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 39W | |
输入电容(Ciss) | 1120pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.993/个 |
10+ | ¥2.148/个 |
50+ | ¥1.655/个 |
100+ | ¥1.434/个 |
500+ | ¥1.307/个 |
1000+ | ¥1.24/个 |
2000+ | ¥1.226/个 |
4000+ | ¥1.219/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.59
50 PCS/盘
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