反向传输电容(Crss):4.1pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.3Ω@10V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12.5nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):430pF@25V,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4.1pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 30W | |
输入电容(Ciss) | 430pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.59/个 |
10+ | ¥2.03/个 |
50+ | ¥1.79/个 |
100+ | ¥1.5/个 |
500+ | ¥1.37/个 |
1000+ | ¥1.29/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.6468
50 PCS/盘
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