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SI2371EDS-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI2371EDS-T1-GE3
- 商品编号
- C467897
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00002千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.045Ω@10V,4.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10.6nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.1W,连续漏极电流(Id):4.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.045Ω@10V,4.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.929/个 |
| 50+ | ¥0.718/个 |
| 150+ | ¥0.627/个 |
| 500+ | ¥0.514/个 |
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