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SI6968BEDQ-T1-E3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI6968BEDQ-T1-E3
- 商品编号
- C467905
- 商品封装
- TSSOP-8
- 商品毛重
- 0.000082千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.022Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.5W,连续漏极电流(Id):6.5A,配置:共漏,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.022Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 配置 | 共漏 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.27/个 |
| 10+ | ¥5.15/个 |
| 30+ | ¥5.07/个 |
| 100+ | ¥4.482/个 |
| 102+ | ¥4.482/个 |
| 104+ | ¥4.482/个 |
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