导通电阻(RDS(on)):170mΩ@10V,2.4A,工作温度:-55℃~+175℃@(Ta),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):620pF@30V,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,2.4A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Ta) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 620pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.298/个 |
50+ | ¥1.794/个 |
150+ | ¥1.578/个 |
500+ | ¥1.308/个 |
3000+ | ¥1.188/个 |
6000+ | ¥1.116/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.09296
3000 PCS/盘
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