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CSD25310Q2
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- CSD25310Q2
- 商品编号
- C468254
- 商品封装
- WSON-6(2x2)
- 商品毛重
- 0.000048千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):21.7pF@10V,导通电阻(RDS(on)):19.9mΩ@4.5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):3.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.9W,输入电容(Ciss):655pF@10V,连续漏极电流(Id):9.6A,阈值电压(Vgs(th)):0.85V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.7pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.9mΩ@4.5V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 输入电容(Ciss) | 655pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.85V |
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