反向传输电容(Crss):11pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.132Ω@10V,1.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.4nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.4W,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):105pF@15V,输出电容(Coss):23pF,连续漏极电流(Id):1.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.132Ω@10V,1.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.4W | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 输入电容(Ciss) | 105pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 23pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.756/个 |
| 50+ | ¥0.605/个 |
| 150+ | ¥0.529/个 |
| 500+ | ¥0.473/个 |
| 3000+ | ¥0.376/个 |
| 6000+ | ¥0.353/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.34592
3000 PCS/盘
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