反向传输电容(Crss):45pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.6Ω@10V,4.1A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):18nC,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):390pF@25V,输出电容(Coss):170pF,连续漏极电流(Id):4.8A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.6Ω@10V,4.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 170pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.98/个 |
| 10+ | ¥5.76/个 |
| 50+ | ¥4.84/个 |
| 100+ | ¥4.23/个 |
| 500+ | ¥3.87/个 |
| 1000+ | ¥3.69/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.4528
50 PCS/盘
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