反向传输电容(Crss):320pF@10V,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):35nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):2150pF@10V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@5V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 2150pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.662/个 |
| 50+ | ¥0.578/个 |
| 150+ | ¥0.538/个 |
| 500+ | ¥0.501/个 |
| 2500+ | ¥0.491/个 |
| 5000+ | ¥0.485/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.466
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