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STB55NF06T4
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STB55NF06T4
- 商品编号
- C472532
- 商品封装
- D2PAK
- 商品毛重
- 0.001556千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,27.5A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):1300pF@25V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,27.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 1300pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.077/个 |
| 10+ | ¥4.219/个 |
| 30+ | ¥2.999/个 |
| 100+ | ¥2.59/个 |
| 500+ | ¥2.406/个 |
| 1000+ | ¥2.324/个 |
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