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STD4N80K5
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD4N80K5
- 商品编号
- C472540
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000396千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):0.5pF,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V,1.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.5nC@640V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):175pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,1.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@640V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.54/个 |
| 10+ | ¥6.85/个 |
| 30+ | ¥6.43/个 |
| 100+ | ¥5.99/个 |
| 500+ | ¥5.79/个 |
| 1000+ | ¥5.7/个 |
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