反向传输电容(Crss):2.2pF,导通电阻(RDS(on)):0.19Ω@10V,9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):29nC@480V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1060pF,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.19Ω@10V,9A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 29nC@480V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 150W | |
输入电容(Ciss) | 1060pF | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥11.94/个 |
10+ | ¥9.94/个 |
30+ | ¥8.85/个 |
100+ | ¥7.61/个 |
500+ | ¥7.06/个 |
1000+ | ¥6.81/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.142
50 PCS/盘
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