反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.063Ω@10V,21A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):98nC@520V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):4200pF@100V,连续漏极电流(Id):42A,阈值电压(Vgs(th)):5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.063Ω@10V,21A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 98nC@520V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 250W | |
输入电容(Ciss) | 4200pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 42A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥37.98/个 |
10+ | ¥36.38/个 |
30+ | ¥35.41/个 |
100+ | ¥34.6/个 |
102+ | ¥34.6/个 |
104+ | ¥34.6/个 |
整盘
单价
整盘单价¥32.5772
30 PCS/盘
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