反向传输电容(Crss):0.4pF,导通电阻(RDS(on)):1.65Ω@10V,2.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13.7nC@960V,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):130W,输入电容(Ciss):505pF@100V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.65Ω@10V,2.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 13.7nC@960V | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 130W | |
输入电容(Ciss) | 505pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥12.49/个 |
10+ | ¥10.5/个 |
30+ | ¥9.25/个 |
90+ | ¥7.98/个 |
510+ | ¥7.4/个 |
1200+ | ¥7.15/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.51
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