反向传输电容(Crss):18pF@50V,导通电阻(RDS(on)):4.6mΩ@6V,17A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):48nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):195W,输入电容(Ciss):4810pF@50V,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 18pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@6V,17A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 195W | |
输入电容(Ciss) | 4810pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 17A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.99/个 |
10+ | ¥9.3/个 |
30+ | ¥8.25/个 |
100+ | ¥6.7/个 |
500+ | ¥6.21/个 |
1000+ | ¥6/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.939
2500 PCS/盘
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