反向传输电容(Crss):26pF,导通电阻(RDS(on)):3.9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):125nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):625W,输入电容(Ciss):8622pF,输出电容(Coss):722pF,连续漏极电流(Id):263A,阈值电压(Vgs(th)):4V@2250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 26pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 625W | |
输入电容(Ciss) | 8622pF | |
输出电容(Coss) | 722pF | |
连续漏极电流(Id) | 263A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@2250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.33/个 |
10+ | ¥8.62/个 |
30+ | ¥7.68/个 |
100+ | ¥6.62/个 |
500+ | ¥6.14/个 |
1000+ | ¥5.93/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.4556
2000 PCS/盘
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