导通电阻(RDS(on)):140mΩ@4.5V,2.4A,工作温度:-,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):900mW,输入电容(Ciss):600pF@10V,连续漏极电流(Id):2.4A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V,2.4A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 900mW | |
输入电容(Ciss) | 600pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |