导通电阻(RDS(on)):85mΩ@4.5V,2.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):900mW,输入电容(Ciss):880pF@6V,连续漏极电流(Id):2.6A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V,2.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 900mW | |
输入电容(Ciss) | 880pF@6V | |
连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.109/个 |
500+ | ¥0.0837/个 |
3000+ | ¥0.0696/个 |
6000+ | ¥0.0612/个 |
24000+ | ¥0.0538/个 |
51000+ | ¥0.0499/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06403
3000 PCS/盘
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