导通电阻(RDS(on)):55mΩ@2.5V,5.2A,工作温度:-,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):16V,耗散功率(Pd):-,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V,5.2A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 16V | |
耗散功率(Pd) | - | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.283/个 |
100+ | ¥0.228/个 |
300+ | ¥0.201/个 |
3000+ | ¥0.16/个 |
6000+ | ¥0.144/个 |
9000+ | ¥0.136/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1472
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