导通电阻(RDS(on)):55mΩ@2.5V,4A,工作温度:-25℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):-,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V,4A | |
工作温度 | -25℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | - | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.252/个 |
100+ | ¥0.219/个 |
300+ | ¥0.202/个 |
3000+ | ¥0.19/个 |
6000+ | ¥0.18/个 |
9000+ | ¥0.175/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.186
3000 PCS/盘
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