导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,连续漏极电流(Id):2.4A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | - | |
连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.209/个 |
200+ | ¥0.165/个 |
600+ | ¥0.14/个 |
3000+ | ¥0.115/个 |
9000+ | ¥0.102/个 |
21000+ | ¥0.0955/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1058
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