导通电阻(RDS(on)):110mΩ@4.5V,3A,工作温度:-,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):16V,耗散功率(Pd):-,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V,3A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 16V | |
耗散功率(Pd) | - | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.378/个 |
100+ | ¥0.302/个 |
300+ | ¥0.264/个 |
3000+ | ¥0.214/个 |
6000+ | ¥0.191/个 |
9000+ | ¥0.18/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.19688
3000 PCS/盘
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