导通电阻(RDS(on)):0.07Ω@2.5V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.35W,连续漏极电流(Id):2.1A,阈值电压(Vgs(th)):0.65V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.07Ω@2.5V,1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.35W | |
连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.65V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.212/个 |
200+ | ¥0.165/个 |
600+ | ¥0.139/个 |
3000+ | ¥0.124/个 |
9000+ | ¥0.11/个 |
21000+ | ¥0.103/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11408
3000 PCS/盘
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