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IPB60R190C6
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPB60R190C6
- 商品编号
- C476127
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001585千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):190mΩ@10V,9.5A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):151W,连续漏极电流(Id):20.2A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,9.5A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥15.47/个 |
| 10+ | ¥15.08/个 |
| 30+ | ¥14.83/个 |
| 100+ | ¥13.88/个 |
| 102+ | ¥13.88/个 |
| 104+ | ¥13.88/个 |
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