导通电阻(RDS(on)):115mΩ@10V,2.6A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.2nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):315pF@15V,连续漏极电流(Id):2.6A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V,2.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 315pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.604/个 |
50+ | ¥0.474/个 |
150+ | ¥0.409/个 |
500+ | ¥0.36/个 |
3000+ | ¥0.307/个 |
6000+ | ¥0.288/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.288
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