反向传输电容(Crss):20pF@20V,导通电阻(RDS(on)):240mΩ@10V,1.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):890mW,耗散功率(Pd):6.25W,输入电容(Ciss):450pF@20V,连续漏极电流(Id):1.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF@20V | |
导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V,1.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 890mW | |
耗散功率(Pd) | 6.25W | |
输入电容(Ciss) | 450pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.519/个 |
50+ | ¥0.409/个 |
150+ | ¥0.354/个 |
500+ | ¥0.307/个 |
3000+ | ¥0.274/个 |
6000+ | ¥0.258/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.25208
3000 PCS/盘
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