反向传输电容(Crss):9pF@15V,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@10V,7.7A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.5nC@15V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):420pF@15V,连续漏极电流(Id):7.7A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 9pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,7.7A | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@15V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 420pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.209/个 |
50+ | ¥0.957/个 |
150+ | ¥0.849/个 |
500+ | ¥0.714/个 |
2500+ | ¥0.631/个 |
5000+ | ¥0.595/个 |
10000+ | ¥0.588/个 |
20000+ | ¥0.583/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.58052
2500 PCS/盘
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